Pozos Cuánticos de AlGaAs/GaAs/AlGaAs Crecidos por MBE: Análisis Estructural y de Composición

Autores/as

  • Dr. José Vulfrano González Fernández Tecnológico Nacional de México Campus San Luis Potosí - Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí https://orcid.org/0000-0003-0351-0914
  • Dr. Ramón Díaz de León-Zapata Tecnológico Nacional de México Campus San Luis Potosí https://orcid.org/0000-0003-1029-288X
  • Dr. Efrén Flores-García Tecnológico Nacional de México Campus San Luis Potosí https://orcid.org/0000-0002-9631-2134
  • Jorge Ortega-Gallegos Instituto de Investigación en Comunicación Óptica, Universidad Autónoma de San Luis Potosí

DOI:

https://doi.org/10.56913/teceo.2.3.23-36

Palabras clave:

Pozos cuánticos, Semiconductores III-V, Difracción de electrones reflejados de alta energía, Fotoluminiscencia, Composición química

Resumen

En este trabajo se presentan estudios de composición química y de control de crecimiento de pozos cuánticos semiconductores basados en semiconductores III-V (AlGaAs/GaAs/AlGaAs, utilizando una composición del Al de 33 %) y fabricados en un sistema de epitaxia por haces moleculares. Se utilizó la técnica de difracción de electrones reflejados de alta energía (in-situ) para la caracterización por composición química, así como la técnica de espectroscopía por fotoluminiscencia (ex-situ) a baja temperatura para el análisis de los niveles de energía de tres diferentes pozos cuánticos no-acoplados. Se obtuvo una buena correlación entre el monitoreo superficial y la caracterización espectroscópica de la muestra estudiada.

Archivos adicionales

Publicado

2019-06-30

Cómo citar

Gonzalez-Fernández, J. V., Díaz de León-Zapata, R., Flores-García, E., & Ortega-Gallegos, J. (2019). Pozos Cuánticos de AlGaAs/GaAs/AlGaAs Crecidos por MBE: Análisis Estructural y de Composición. Tecnología, Ciencia Y Estudios Organizacionales, 2(3), 23–36. https://doi.org/10.56913/teceo.2.3.23-36

Número

Vol. 2 Núm. 3 (2019): (enero - junio)

Sección

Artículos

Licencia

Derechos de autor 2022 Tecnología, Ciencia y Estudios Organizacionales

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